世界功率管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出兩款新型30V HEXFET®功率 MOSFET，可將30V/45A兩相同步降壓轉換器MOSFET解決方案的輕負載效率提升2%，用來驅動筆記本電腦及其他高性能計算應用中的Intel和AMD最新型處理器。
這兩款新型無鉛器件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，通過優化傳導、開關和體二極管損耗，可實現最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步MOSFET的兩相同步降壓轉換器電路芯片組。這組新型SO-8 MOSFET 還適用于其他采用PWM控制的DC-DC降壓轉換器應用。
IR中國及香港銷售總監嚴國富表示：“中低功率水平下，高效率對筆記本電腦非常重要，因為它們是最主流的電池驅動產品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要，在5－15A的范圍內將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗，從而降低系統的工作溫度，這一點對便攜式計算也相當重要。”
新的芯片組包含一個控制MOSFET和一個同步MOSFET，每個器件都經過專門設計，以發揮其最大效能。控制MOSFET具有更低的開關損耗（柵電荷），同步MOSFET則具有低傳導損耗（低導通電阻）及低逆向恢復電荷。
IRF7823PbF是一款經過優化的控制場效應管（FET），柵電荷（Qg）和柵-漏極電荷（Qgd）都非常低，分別只有9.1nC和3.2nC。
IRF7832ZPbF對同步FET功能進行了優化，4.5V下的典型導通電阻極低，只有3.7mΩ，適用于高達12A的應用環境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現在均已供貨。以1萬片訂貨量計算，IRF7823PbF每片0.5美元，IRF7832ZPbF為0.88美元，價格會有所變動。兩種器件均為無鉛產品，符合有害物質管理規定（RoHS）。基本規格如下：
|
器件編號 |
BVDSS
(V) |
VGS
(V) |
典型RDS(on)
最大
VGS=4.5V
(Ω) |
典型RDS(on)
最大
VGS=10V
(Ω) |
Vth
(V) |
QG VGS=5V
(nC) |
QGS1
(nC) |
QGD Vds=16V
(nC) |
QGS2
(nC) |
|
IRF7823PbF |
30 |
±20 |
9.3/ 11.9 |
6.9/ 8.7 |
1.9 |
9.1 |
2.7 |
3.2 |
0.8 |
|
IRF7832ZPbF |
30 |
±20 |
3.7/ 4.5 |
3.1/ 3.8 |
1.3 -2.3 |
30 |
7.9 |
11 |
2.6 |
（新聞稿 博達公關提供 2006-02-09）