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Intel: Intel宣布推出65nm生產工藝1Gb NOR閃存 |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2006-11-10
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[摘要]
Intel宣布，業界首款基于多級單元(MLC)技術和65nm生產工藝的1Gb NOR閃存已經準備就緒，即將開始出貨。
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[正文]
Intel宣布，業界首款基于多級單元(MLC)技術和65nm生產工藝的1Gb NOR閃存已經準備就緒，即將開始出貨。
Intel的65nm 1Gb NOR閃存基于其StrataFlash(M18)架構，具備深度省電模式，并向下兼容去年推出的90nm 512Mb型號。新閃存的1.8V電壓和133MHz讀取速度與90nm版相同，但寫入速度從0.5Mb/s翻番至1.0Mb/s，從而改善了自己的弱勢，面積上也比Spansion的90nm 1Gb Mirrorbit小三分之一，只是后者在半年前就已投入量產。
新的NOR閃存定位于具備百萬像素攝像頭、視頻播放和高速數據傳輸能力的多媒體手機。NAND閃存憑借高密度、大容量一直占據著這種設備，但Gb級容量、訪問速度更快的NOR閃存也有望占據一席之地。Intel表示，索尼愛立信和英飛凌已經完成了相關設計。
2007年，Intel還將推出同樣基于M18的65nm 512Mb/256Mb/128Mb型號。 （2006－11－10）
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