2005年2月25日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技公司（FSENYSE：IFX）今天宣布推出世界上第一條采用雙晶片(dual-die)技術、存儲容量4GB、用于服務器的DDR2 registered DIMM 內存模塊樣品。這一舉措顯示了英飛凌在內存技術領域的領先地位。新模塊使用18顆2Gb的DDR2內存顆粒，該顆粒由兩片1Gb DDR2 SDRAM晶片堆疊實現。這種技術被稱為雙晶片技術，可以將內存顆粒容量增加一倍，而厚度僅增加0.1毫米。英飛凌的4GB DDR2 registered DIMM內存模塊厚4.1毫米，高30毫米，比同類產品的厚度減少約40%，優于電子設備工程聯合委員會（JEDEC）對堆疊解決方案的要求。這種更薄的內存模塊可以改善高端DDR2服務器系統內的氣流和散熱狀況，使每一服務器可以使用4條4GB的內存模塊，總存儲量達到16GB。
英飛凌的科學家們通過將兩片相同的晶片在一個球柵陣列封裝（BGA）內堆疊起來，從而實現了雙晶片技術。英飛凌首先掌握了批量生產高速DDR2雙晶片內存芯片的技術。為滿足生產要求，英飛凌在生產工藝方面采取了必要的措施，解決了散熱、電氣、密度、體積和能耗等因素相互影響的難題。常規的堆疊封裝技術只是將兩顆內存顆粒簡單地堆疊起來，與之相比，英飛凌的雙晶片技術可以使內存模塊的體積更小，而在電氣和散熱方面的性能更優。（新聞稿 偉達公共提供 2005-03-03）