三星80nm 2Gb DDR2晶圓
據報道,三星公司今天宣布已經開始批量生產80nm工藝的DDR2內存模組。三星稱,從90nm向80nm的工藝改進可以將生產效率提升50%。
三星早在2003年9月就首次展示了80nm工藝DDR2的產品原型。不過原本計劃在2004年的時候將80nm工藝用于DDR3,但由于DDR3發展的遲緩,三星最終將其用于DDR2。
三星的80nm內存產品采用了被稱為三維晶體管技術——凹道排列晶體管(RCAT)的3D構架技術,由此減小了晶體管體積,進而增加了更高內存密度下的集成度。
(第三媒體 2006-03-14)