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三星: 16合1 三星電子宣布芯片堆疊新方案技術 |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2006-11-02
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[摘要]
今年四月份，三星電子宣布一項芯片3D封裝技術，那時候，三星的WSP最多可以使8個芯片上下堆疊。 |
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[正文]
今年四月份，三星電子宣布一項芯片3D封裝技術，那時候，三星的WSP最多可以使8個芯片上下堆疊。而現在三星又在芯片堆疊上做出了突破，可以將16個存儲芯片堆疊在一起。為了達到這個目的，他們采用了新的晶圓減薄和芯片切割技術。
在這個16合1的處理過程中，三星使用的新的晶圓減薄技術，能將晶圓厚度減少到4%，經過處理的晶圓總厚度僅有30微米左右。同三星05年發布的10芯片封裝包晶圓相比，厚度僅為65%，接近人類的一個細胞的厚度（20-30微米）。
在芯片切割方面，三星也采用了新的激光切割技術，這項技術能防止通常方法中容易出現的芯片碎裂情況，這項技術最初設計用來切割80微米級的晶圓。
成品以Z字形方式堆疊，粘合劑的厚度也被減小到20微米，所以整個16-die芯片保厚度僅為1.44毫米。新的堆疊工藝可以使單個多芯片封裝的容量達到16GB，三星稱這是芯片發展史上的最高密度。 (2006-11-02)
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