超頻CPU和顯卡可以讓PC游戲性能提升，然而對于內存而言，超頻同樣顯得重要，而且在超頻CPU的同時，內存也同樣需要進行超頻設置。盡管不少用戶很少在內存超頻上打注意，但是對于每一個游戲用戶而言，內存的超頻更加值得關注。
1．內存同步超頻
對于內存超頻而言，根據不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內存超頻又與CPU有著直接或間接的關系，一般來說，內存超頻的實現方法有兩種：一是內存同步，即調整CPU外頻并使內存與之同頻工作；二是內存異步，即內存工作頻率高出CPU外頻。
首先我們說說內存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進行超頻時，也必須相應提升內存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個平臺，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內存。Athlon XP 1800+默認外頻為133MHz、默認倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。
由于我們將CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規格內存，那么將內存頻率設置為166MHz屬于標準頻率下工作，但這里使用的是DDR266內存，為了滿足CPU超頻需求，內存也必須由原來的DDR266（133MHz）超頻到DDR333（166MHz）使用。具體方法是進入BIOS設置，找到“Advanced Chipset Features” 選項，然后會看到一個“DRAM Clock”選項，將鼠標光標定位到這里并回車，然后會出現內存頻率設置選項，在這里我們選擇“166MHz”并回車（圖1），保存設置并退出即實現了內存同步超頻。
圖1
需要注意的是，超頻后的內存在非標準頻率下工作，如果內存品質不好，可能造成死機，所以內存超頻還需要看內存本身的品質，一般而言，市場上普遍常見的現代（Hyundai）、三星（Samsung）兼容DDR內存，其都不具備很好的超頻性能，要讓內存更穩定超頻，建議購買金士頓（Kingston）、勝創（Kingmax）等盒裝內存條。
2．內存異步超頻
在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。而內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低于系統總線速度33MHz或3:4、4:5（內存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經常受限于內存的“瓶頸”。
對于支持SDRAM內存的老主板而言（如815系列），在支持內存異步的主板BIOS中，可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Host Clock為總線頻率和內存工作頻率同步，Hclk-33M表示總線頻率減少33M，而Hclk+33M可以使內存的工作頻率比系統外頻高出33MHz，比如將賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz，而你的內存為PC133規格（即標準外頻為133MHz），此時在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”，可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下，而內存卻可以在133MHz頻率下運行，充分挖掘內存的超頻潛力并提升系統性能。
而對于支持DDR內存的老主板而言（如845G芯片組），Intel規定845G只支持DDR266（133MHz×2）內存，不過有的品牌845G主板在BIOS中加入內存異步功能（比如微星845G MAX），在BIOS中按照4:5的比例進行設置，可以讓內存運行在166MHz，從而支持DDR333（166MHz×2），并使內存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是：進入BIOS設置中，進入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項，然后進入“DRAM Frequency（內存頻率）”選項，在這里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項，我們直接選中“320MHz”即可（圖2）。
圖2
3．增加電壓幫助超頻
內存頻率提升了，所以內存功耗也隨之增加，但在默認情況下，主板BIOS中內存電壓參數是被設置為內存標準頻率的數值，通常來說，為了確保內存超頻的穩定性，我們需要增加內存電壓，很多主板BIOS設置中都提供了內存電壓調節功能，同時內存電壓調節級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調節，內存電壓參數調節越細微，對超頻越有幫助。
調節內存電壓的方式是進入“Advanced Chipset Features”選項，然后將鼠標光標定位到“Current Voltage”上，在這里我們看到，該主板內存電壓分了好幾段，電壓調節范圍從1.60V～2.70V，每相鄰的兩項之間的差值為0.1V，我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓，每按一次增加0.1V電壓（如圖3）。需要注意的是，超頻時不要一次將內存電壓提升太高，首先提升0.1V電壓，然后保存退出，進入WINDOWS系統對內存進行性能測試，如果很穩定，可以重新進入BIOS中再次將內存電壓提升0.1V，依次類推，直到自己滿意為止。
圖3
（第三媒體 2006－03－20）