據6月21日國外最新報道，周二IBM公司宣布，它與美國佐治亞理工學院合作，成功使一顆芯片運行在500GHz，該款硅鍺芯片比目前常見的PC芯片快了100多倍，而比手機芯片則快了250倍，刷新了當前硅鍺芯片的速度記錄。
據IBM稱，新研發的硅鍺芯片在常溫下可以穩定運行在350GHz，目前個人電腦處理器的速度為1.8GHz至3.8GHz。而在科學家們采用了液氦技術將溫度降低至零下268℃攝氏度時，該款處理器的運行速度便能夠達到500GHz。硅鍺芯片在低溫下可以獲得更好的性能，研究人員預測，最終芯片的頻率可在常溫下可達到1THz（1000GHz）。IBM首席技術官伯納德·梅森預測，這款超級芯片有望在12-24個月內推出首款商業化產品。梅森說：“這是計算機半導體科技史上的一次突破性發展。它將進一步降低高速芯片的成本，有助于催生速度更快的電腦和無線網絡。”
據介紹，加入鍺元素可有效提高芯片性能并降低功耗，同時也會增加晶圓和芯片的生產成本； IBM公司希望此項技術能夠在數年內投入實際應用，這將為實現個人超級電腦和高速無線網絡鋪平道路。而IBM從1998年以來，已經銷售了上億個硅鍺芯片，但移動通信領域每年要用掉數十億個普通硅基芯片，目前高性能的硅鍺芯片只應用導彈防御系統、宇宙飛行器以及遙感測量等特殊領域。
（第三媒體 2006－06－21）