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安森美半導體: 提供完整的硅鍺電流模式邏輯解決方案(圖)

上傳:panh     來源:信息存儲服務     日期:2005-03-09

[摘要]  
   2005年3月9日——安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN)將其在高速時鐘和數據管理中數以十年的專門技術應用于網絡和電信市場,推出NB7L11M、NB7L14M、NB7L86M、NBSG16M以及NB7N017M——基于硅鍺(SiGe)的高帶寬、完全差分時鐘分配、時鐘驅動、時鐘復用和時鐘預調的集成電路,支持電流模式邏輯(CML)輸出。
 
[正文]    

安森美半導體: 提供完整的硅鍺電流模式邏輯解決方案(圖)

   增強型GigaComm(tm)器件提供每秒12吉比特以上的數據速率,

   是OC-192網絡和電信中高性能應用的理想選擇 

   2005年3月9日——安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN)將其在高速時鐘和數據管理中數以十年的專門技術應用于網絡和電信市場,推出NB7L11M、NB7L14M、NB7L86M、NBSG16M以及NB7N017M——基于硅鍺(SiGe)的高帶寬、完全差分時鐘分配、時鐘驅動、時鐘復用和時鐘預調的集成電路,支持電流模式邏輯(CML)輸出。這些器件是GigaComm(tm)高性能時鐘和數據管理集成電路系列的最新成員,專為電信、網絡、高端計算和自動化測試設備行業而設計。

   特性及優勢

   安森美半導體高頻產品部市場及業務開發總監Mike Radhanauth說:“當設計人員從簡單的CMOS解決方案轉移到雙極性集成電路控制的性能范圍,電流模式邏輯是最方便的高速接口協定之一,而且正迅速成為新興高帶寬網絡應用的首選協定。”

   全新GigaComm(tm)器件使用片上50歐姆輸入和輸出端接,簡化了初始條件和連接端接,允許雙極性設計中不常見,但是CMOS解決方案預期的點對點實現。類似低擺幅ECL(RSECL),400毫伏(mV)CML的信號擺動減少了上升/下降時間中的功耗。之后高頻信號中常見的電路中信號反射導致的異常,被片上端接降至最低。

   這些器件在某些情況下能夠提供每秒12吉比特(Gbps)以上的數據速率,是OC-192應用中高性能應用的理想選擇。高速背板接口的傳播延遲小于150皮秒(ps),且上升和下降時間少于53ps。NBSG16M的性能結合CML內在的設計靈活性,為網絡應用中的數據傳輸提供了最優化解決方案。

   新GigaComm(tm)器件

   - NB7L11M為12Gbps、8GHz、2.5V或3.3V SiGe差分時鐘驅動器,將輸入時鐘信號再生為兩個同樣的CML輸出信號。采用16引腳QFN封裝,每1,000件的批量單價為25.20美元。

   - NB7L14M為帶1:4扇出和CML輸出的12Gbps、8GHz、2.5V或3.3V SiGe差分時鐘驅動器。采用16引腳QFN封裝,每1,000件的批量單價為30.24美元。 

   - NBSG16M為帶CML輸出的10Gbps、10GHz、2.5V或3.3V SiGe差分接收器/驅動器。采用16引腳QFN封裝,每1,000件的批量單價為20.59美元。

   - NB7L86M為帶CML輸出的12Gbps、8GHz、2.5V或3.3V SiGe差分智能門極。它提供可編程的靈活性,可選擇AND/NAND、OR/NOR、XOR/XNOR或2:1復用功能。它為高性能應用超高速提供所有主要邏輯功能。采用16引腳QFN封裝,每1,000件的批量單價為13.95美元。

   - NB7N017M 為帶CML輸出的3.3V雙8位模數除法器/預定標器,能以3.5GHz以上的速度切換。采用52引腳QFN封裝,每1,000件的批量單價為23.26美元。

   與GigaComm(tm)系列的所有成員一樣,這些器件采用安森美半導體的AnyLevel(tm)技術,包括50歐姆(Ω)輸入端接電阻,且接受所有主要的信號標準——尤其是負的ECL(LVNECL)、PECL、LVCMOS/LVTTL、CML或LVDS。

   安森美半導體現提供所有GigaComm器件的評估和演示板。所有器件亦可提供晶圓形式,為設計人員提供更大靈活性。(新聞稿 博達公關提供 2005-03-09)


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