全面提升筆記本電腦和移動DC-DC降壓轉換器應用效率
世界功率管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出兩款新型的30V DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組。新品適用于安裝了最新款Intel和AMD處理器的筆記本電腦設計，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。
IR中國及香港銷售總監嚴國富指出，全新30V芯片組能在整個額定負載范圍內實現更高效率。由于封裝體積更小，只需單個控制和單個同步MOSFET便可在大電流下工作，因此功率密度高于傳統封裝。也就是說，這些芯片組具有更好的熱性能，面積也更小，最適用于體積超小、需要提高電池使用效率的移動計算應用。
新品的每一款芯片組都包含一個控制MOSFET和一個同步MOSFET，而每個器件都經過特別設計，在同步DC-DC降壓轉換器電路中發揮最佳性能。控制MOSFET具有更低的開關損耗，同步MOSFET的傳導損耗更低（低導通電阻），逆向恢復電荷也很低。
其中一款芯片組包含IRF6617控制場效應管和IRF6611同步場效應管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場效應管和IRF6678同步場效應管，適用于每個功率通道高于20A的應用，可有效提升熱性能。
IRF6617控制場效應管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場效應管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現有設計，兩款同步場效應管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。
新的芯片組有助于電路設計人員縮減高頻、大電流DC-DC轉換器的體積。這些轉換器適用于高檔電腦和服務器，以及先進的電信和數據通信系統。
IR的DirectFET MOSFET封裝已經獲得了專利，其中匯集了一系列標準塑料分立封裝不具備的設計優點。金屬腔構造能發揮雙面冷卻功能，把用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。
芯片組的基本規格如下：
| 產品編號 |
功能 |
封裝 |
BVDSS (V) |
10V下最大RDS(on) (mOhm) |
4.5V下最大RDS(on) (mOhm) |
VGS(V) |
Tc=25°C下的ID (A) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
| IRF6678 |
同步場效應管 |
DirectFETMX |
30 |
2.2 |
3.0 |
20 |
150 |
43 |
15 |
| IRF6611 |
同步場效應管 |
DirectFETMX |
30 |
2.6 |
3.4 |
20 |
150 |
37 |
12.5 |
| IRF6637 |
控制場效應管 |
DirectFETMP |
30 |
7.7 |
10.8 |
20 |
59 |
11 |
4.0 |
| IRF6617 |
控制場效應管 |
DirectFETST |
30 |
8.1 |
10.3 |
20 |
55 |
11 |
4.0 |
IR最新30V DirectFET MOSFET現已供貨。以1萬片訂貨量計算，每片單價如下。價格會有所變動。
IRF6678同步場效應管：1.25美元
IRF6611同步場效應管：1.09美元
IRF6637控制場效應管：0.91美元
IRF6617控制場效應管：0.87美元
（新聞稿 博達公關提供 2005-04-26）