據報道,臺積電最近發布了45nm制程計劃,根據這份計劃,首先采用臺積電45nm工藝的芯片將是低功耗產品,然后將是多款45nm技術的衍生產品,然后臺積電將在2007年第四季度開始低功耗芯片的“冒險生產”階段。 為了幫助從65nm制程向45nm制程過渡,臺積電采用新的low-k夾層電介質材料,采用沉浸光蝕刻技術,但是這種技術也可能帶來潛在問題。臺積電目前要面對的問題是臺積電還沒有接受高極限晶體管設計。臺積電之前被報道在90nm向80nm過渡當中,遇到類似問題。
ATi和nVIDIA都對臺積電有極大興趣,ATi目前和臺積電在80nm圖型芯片上密切合作,并且規劃在2007年推出65nm工藝圖型芯片。ATi原來圖型芯片藍圖顯示,RV560和RV570都將采用臺積電80nm工藝,但是現在轉向采用更成熟的90nm工藝,nVIDIA也宣布近期不會采用臺積電80nm工藝,因此目前沒有80nm工藝圖型芯片產品規劃。
(第三媒體 2006-05-23)