據報道，臺積電最近發布了45nm制程計劃，根據這份計劃，首先采用臺積電45nm工藝的芯片將是低功耗產品，然后將是多款45nm技術的衍生產品，然后臺積電將在2007年第四季度開始低功耗芯片的“冒險生產”階段。 為了幫助從65nm制程向45nm制程過渡，臺積電采用新的low-k夾層電介質材料，采用沉浸光蝕刻技術，但是這種技術也可能帶來潛在問題。臺積電目前要面對的問題是臺積電還沒有接受高極限晶體管設計。臺積電之前被報道在90nm向80nm過渡當中，遇到類似問題。
ATi和nVIDIA都對臺積電有極大興趣，ATi目前和臺積電在80nm圖型芯片上密切合作，并且規劃在2007年推出65nm工藝圖型芯片。ATi原來圖型芯片藍圖顯示，RV560和RV570都將采用臺積電80nm工藝，但是現在轉向采用更成熟的90nm工藝，nVIDIA也宣布近期不會采用臺積電80nm工藝，因此目前沒有80nm工藝圖型芯片產品規劃。
（第三媒體 2006－05－23）