![Intel處理器: 65nm CPU剛剛發布、45nm試產成功(圖)](http://big5.thethirdmedia.com/g2b.aspx/www.thethirdmedia.com/null.gif)
全球最大的處理器生產商Intel宣布其45nm制程試產成功,現在已經制作出完整可正常運作的SRAM晶片(Static Random Access Memory),據Intel表示,這次試產生成功將確保他們將07年在12寸晶圓上生產下一代45nm處理器,延續摩爾定律。
據Intel的相關人士表示,Intel的45nm制程將比65nm大幅減少五倍的漏電情況(Leakage Power),也將使電晶體切換(Transistor Switching)速度提升兩成,并減少電晶體切換所需三成功耗,因此下代45nm處理器可提升電池的續航力,減低工作溫度有助系統體積進一步減少。其實Intel在提升制程技術前,必先會試產SRAM晶片以調節生產技術,用作提高良率及可靠性,以迎接真正生產處理器,而這次試產的是一顆153MBit的SRAM內建超過1 Billion電晶體,它是于D1D晶圓廠(Oregon,U.S.A),而未來量產45nm制程的廠房預定將會在Fab 28(Israel,U.S.A)及Fab 32 (Arizona, U.S.A)工廠生產,并在2007年第四季正式推出采用45nm制程的處理器。
(第三媒體 2006-02-05)