日前，全球移動存儲領導廠商Netac朗科公司發布了其最新技術研究成果——“優芯II號”。據悉，該芯片將閃存盤的讀寫速度提高到了20M/S、16M/S以上，較以往USB1.1閃存盤的讀寫速度提高了20倍左右；它同時還支持超穩定技術與加密技術，符合U-SAFE標準，能夠有效防止數據丟失，是截止目前全球最先進的閃存盤控制芯片。
此舉不僅標志著全球閃存盤產業從此步入了“準高速”時代，同時也意味著朗科公司開始了新一輪的“技術圈地”運動。
USB2.0閃存盤將結束混沌狀態？
據了解，目前國內大約90%的閃存盤仍然采用的是第一代USB標準，即USB1.1標準，其最大數據傳輸速度僅為1.2M/S、1M/S。剩下10%的閃存盤采用了最新的USB2.0標準，但讀寫速度卻大致有兩種差別，一類是6.5M/S、2.5M/S，另一類是9.5M/S、8.5M/S。造成這種現象的原因主要是USB2.0閃存盤控制芯片的開發一直處在不斷進步之中。
不同產品在速度方面的顯著差異以及相對較低的讀寫速度，不僅為消費者辨別理想中的USB2.0閃存盤帶來了麻煩，也使得人們未能最大程度地享受到USB2.0高速傳輸的好處。
隨著朗科優芯II號的批量生產，具備20M/S、16M/S以上讀寫能力的“準高速”閃存盤將會問世，這無疑有助于USB2.0閃存盤市場結束現有的混沌狀態，為消費者購買到最新的高速閃存盤提供了方便。
優芯II號“圈地”作用將會顯現？
此前的2003年7月，朗科公司曾在京發布了“優芯I號”，在業界引起強烈反響。由于優芯I號獨有“超穩定技術”——通過固化在控制芯片中的數據智能備份與恢復軟件，該技術對閃存盤因被非法拔插或突然掉電后有可能丟失數據、甚至損壞的防范能力比其他產品提高了至少10倍以上，朗科閃存盤很快受到了市場的熱烈追捧。
據悉，相比優芯I號采用的0.35um CMOS工藝，優芯II號采用了更為先進的0.18um CMOS工藝。它無論在速度還是穩定性方面都大大超過了它的前輩。優芯II號不僅繼承了超穩定技術，更在微小的體積上成功內嵌了USB1.1/USB2.0收發器、MCU、ECC、Flash接口控制器、電壓調整器等，是一顆快速低功耗的，且擁有最少外圍元件的閃存盤控制器，這意味著它的穩定性能相比“優芯I號”大為提高。
Netac朗科公司一直以“原創性技術品牌”而著稱，該公司多年來堅持自主研發，堅持走技術品牌路線。隨著優芯II號的批量生產，朗科公司的技術領先優勢無疑將很快轉化為市場優勢，屆時優芯II號的“技術圈地”作用也將浮現。（新聞稿 朗科提供 2005-09-07）