2005年12月8日，韓國漢城消息，三星電子宣布最近已開發出8GB FB-DIMM內存，進一步鞏固了其在服務器內存方面的領先地位。三星曾于今年十月推出8GB雙列直插內存模塊（R-DIMM），而這回的全緩沖雙列內存模組（FB-DIMM）密度內存，代表著該公司在主導全球高端服務器內存市場上又前進了一步。
FB-DIMM是一種新的內存互連技術，主要應用于高端服務器以及工作站，包括Intel、HP和Dell等大PC廠商都表示了對該架構的支持，在大型工作站或高端服務器上使用三星此種高密度內存，效果非常理想。
這種全緩沖雙列內存模組（FB-DIMM）的構造突破了以前每條通道2－4個模組容量的限制，可以達到8個模組，且速度不會減慢。這種新的架構還可以通過高級內存緩存（AMB）芯片與系統中的每個模組進行點到點連接，以相同的速度處理更多的數據。此外，FB-DIMM將內存通道轉變為串行界面，并且由內存緩沖器取代DIMM寄存器。在特性方面作出進一步的改進，支持更高的容量，提供更強的性能。因此，服務器市場對高密度DRAM（動態隨機內存）的需求量將有望在今后明顯增加。
三星曾是首家正式推出FB-DIMM內存實物的廠商，這回推出的8GB FB-DIMM內存，可以讓服務器充分利用擴展內存支持，從高存儲密度和帶寬中受益，最大限度的擴展性能。
全緩沖雙列內存模組（FB-DIMM）給現有DRAM模組增加一個AMB（高級內存緩存）芯片，從而使模組中的DRAM（動態隨機存取）能夠通過AMB芯片與系統互相傳送。目前全緩沖雙列內存模組（FB-DIMM）架構標準被JEDEC（電子行業聯盟的半導體工業標準化組織）所采用，設計者在設計下一代DRAM系統時，可以在R-DIMM和FB-DIMM之間進行自由選擇。
市場研究公司Dataquest預言：預計2006年世界范圍的服務器DRAM市場容量將是34.1Bln 兆字節。
2GB DRAM 市場展望(Gartner Dataquest. 2005年8月)
| 總 DRAM 市場 | 2G DRAM 市場 |
| 2006 | 264億美元 | 1.5億美元 |
| 2007 | 206億美元 | 6.6億美元 |
| 2008 | 321億美元 | 34.8億美元 |
| 2009 | 249億美元 | 57.4億美元 |
| 2010 | 231億美元 | 103億美元 |
（新聞稿 動力飛揚提供 2005-12-13）