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Intel: Intel/Micron聯手進軍50nm工藝NAND芯片 |
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作者:第三媒體
來源:www.TheThirdMedia.com
日期:2006-11-08
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[摘要]
Intel與Micron聯合投資的IM Flash Technologies宣布將于2007年上半年在新加坡興建其第四座生產工廠,初期目標是使用300mm(12英寸)晶圓生產50nm工藝的NAND閃存芯片。
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[正文]
Intel與Micron聯合投資的IM Flash Technologies宣布將于2007年上半年在新加坡興建其第四座生產工廠,初期目標是使用300mm(12英寸)晶圓生產50nm工藝的NAND閃存芯片。
IM Flash目前已經擁有三座300mm晶圓NAND閃存工廠,其中在弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠已經上線,位于猶他州靳海的工廠將于2007年年初投產,另外一座就是位于愛達荷州博伊西的Micron裝配工廠。
明年上半年起興建的第四座工廠位于新加坡,定于2008年下半年投產,屆時將會使用300mm晶圓結合50nm工藝生產NAND閃存芯片。據悉,Intel和Micron目前已經在實驗室里拿出了4Gb容量的50nm芯片。
Intel閃存部門副總裁兼總經理Brian Harrison透露說,IM Flash的目標是每年一座300mm晶圓廠。
據iSuppli統計,三星目前統治著46.4%的NAND閃存市場,東芝和現代分別為24.7%和18.5%,而且三星的腳步非常快:今年4月開始生產70nm閃存芯片、7月宣布首款8芯片堆疊的60nm 8Gb芯片并于兩個月后投入量產、9月進軍40nm、同時在20nm新工藝上取得突破、本月完成16合1芯片堆疊技術。40nm的32Gb閃存芯片可將閃存卡的容量提升至64GB,20nm則可進一步達到512GB。 (2006-11-08)
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