MOSFET場效應管是供電部分最重要的元件之一, 昂達7600GS“神戈”采用的是英飛凌出產的MOSFET管,這種場效應管的抗阻值只有7-9毫歐,發熱量低、適合超頻,性能遠遠強過其他日系,臺系的同類產品。同時由于采用三相供電技術,使得MOSFET管溫度更低,更有利于穩定的超頻。
昂達7600GS“神戈”采用128M/128bit三星DDR3高速顯存(1.4ns),三星顯存的超頻性能也為玩家所稱道,其DDR3顆粒通常電器性能更高,因此常比同類顆粒具備更強超頻性能和更佳穩定性,就昂達7600GS“神戈”來說,其默認的核心和顯存頻率就達到了驚人的600/1500MHZ且穩定運行,并可穩定超頻至680/1700MHz,其豪華的做工和用料保證功不可沒。