近日，英特爾（Intel）宣布研發出1種速度更快且更省電的新型晶體管。這種晶體管乃利用新型材料銻化銦（indium antimonide）導電，極為省電且散熱功能佳，處理速度可提升50％，但所需電力只要原來的十分之一。預計10～15年內可開始量產，運用在該公司的微處理器等邏輯產品。
英特爾表示，這種新型晶體管將在未來的計算機平臺發展上扮演著極為重要的角色，計算機將因此具有更多功能與特性，而其省電與散熱佳的特點，將使攜帶式計算機產品的電池更為長壽，計算機產品也可以做得更小，功能更強。
據英特爾介紹，這項研究結果讓英特爾更有信心，相信摩爾定律（Moore''s Law，指芯片內的晶體管數每隔1年就會加倍）可因此進一步延續適用到2015年以后。這項技術乃由英特爾與英國研究機構QinetiQ共同研發。
據了解，再此之前提升芯片功能的傳統做法，是給芯片裝上更多的晶體管，但這樣會產生漏電問題，導致芯片散熱不佳極易產生故障，因此眾家半導體廠商都希望找出能提升芯片功能且省電的方法，除了英特爾以外，超微（AMD）、IBM等也都在積極研究解決之道；超微與IBM已宣布聯手為65奈米制程研發出2種新型應變矽晶（strained silicon），能大幅提升處理器的功能，并降低耗電。（第三媒體 2005－12－12）