全球最大的處理器生產商Intel宣布其45nm制程試產成功，現在已經制作出完整可正常運作的SRAM晶片(Static Random Access Memory)，據Intel表示，這次試產生成功將確保他們將07年在12寸晶圓上生產下一代45nm處理器，延續摩爾定律。
據Intel的相關人士表示，Intel的45nm制程將比65nm大幅減少五倍的漏電情況(Leakage Power)，也將使電晶體切換(Transistor Switching)速度提升兩成，并減少電晶體切換所需三成功耗，因此下代45nm處理器可提升電池的續航力，減低工作溫度有助系統體積進一步減少。其實Intel在提升制程技術前，必先會試產SRAM晶片以調節生產技術，用作提高良率及可靠性，以迎接真正生產處理器，而這次試產的是一顆153MBit的SRAM內建超過1 Billion電晶體，它是于D1D晶圓廠(Oregon,U.S.A)，而未來量產45nm制程的廠房預定將會在Fab 28(Israel,U.S.A)及Fab 32 (Arizona, U.S.A)工廠生產，并在2007年第四季正式推出采用45nm制程的處理器。
（第三媒體 2006－02－05）