日前Intel閃存產品事業部副總裁Brian Harrison表示，將在本季度推出Intel首款65nm NOR型閃存芯片的樣品，預計到今年年底將可以大量應用于手機產品中。Brian Harrison同時還稱新推出的閃存芯片，將高于現行90nm芯片的512MB存儲量，可以提供超過1GB以上的數據存儲量容。
1988年，Intel公司發明NOR閃存，一年后，東芝公司發明NAND閃存。如今閃存已被大量使用于手機、PDA或者內嵌于其它設備中用于存儲數據，相比DRAM以及移動硬盤等，閃存擁有無需連續供電的優勢。而NOR閃存通常用于高端手機數據存儲，得益于其快速的讀取時間，且具有更高的可靠性，只是價格較NAND閃存要昂貴一些。另外，NAND閃存也憑借其高密度以及多媒體應用中快速的讀寫速度，在存儲卡以及相關設備中獲得了成功的應用，但其缺點是延時和功耗。
Harrison表示，Intel還將會推出采用堆疊技術的2GB容量NOR芯片，但出于成本考慮，當其轉用45nm工藝時，才能以符合成本效益的方式生產2GB NOR芯片了。
據市場調研公司iSuppli預計，2006年期間NAND閃存將占據所有閃存產品市場的69%。而Intel在生產自家NOR閃存的同時，也聯合美光一同打入了火爆的NAND閃存市場。加之眾多品牌MP3播放器的良好銷售，也促進了NAND閃存市場的進一步壯大。而蘋果也是Intel和美光合資公司IM Flash Technologies的重要客戶之一。雖然改進了制造工藝，但目前來看NOR型閃存仍將備受NAND型閃存的威脅。
（第三媒體 2006－04－05）