據悉，近日東芝稱，它將于明年在NAND閃存芯片上采用52nm技術，將閃存芯片的讀取速度從現在的6MB/s，大幅提升一倍，達到12MB/s。而目前，東芝的絕大多數閃存芯片產品，都是采用90nm生產工藝，而首批52nm芯片的存儲容量將會達到2GB。
TOSHIBA的NAND型FLASH閃存芯片，型號TC58512FT
眾所周知，隨著Apple iPod閃存MP3播放器新品的上市，其驚人的銷量也帶來了NAND閃存需求量的猛增，Hynix等公司都已經開始增產，東芝公司也在競爭的壓力之下，宣布要提升產能，以努力保住現有的市場份額。
據稱，目前在全球閃存供應商中，Gartner數據顯示居于首位的是韓國三星電子，東芝是全球第二大閃存供應商，而Hynix則有能在2005年底居于全球第三位閃存供應商。（第三媒體 2005－11－22）