韓國三星公司剛剛宣布將更多內存封裝到小尺寸空間的新技術。這種技術稱之為三維空間芯片封裝，它通過在內存模塊上加入“通過矽”的連接，然后通過這種連接，將多個內存模塊菊花型連接起來。韓國三星公司將這種新技術命名為“晶圓級的堆疊工藝”，簡稱WSP 。
現有的半導體封裝依賴于對印刷電路板的有線連接，這種有線連接需要互連之間存在空間，以消除干擾，但是在制造高密度內存之時，這種空間會成為制約因素。三星電子今天宣布的“通過矽”的互相連接技術，本質上是激光在內存芯片之間打孔，然后以導體材料填充這些孔，以產生垂直互連效果。
韓國三星公司研究員設法在一個封包當中堆積了8個2Gb NAND芯片。這種容量16Gb的NAND芯片高度只有半個毫米。這種技術將在年內用在DRAM和多媒體控制器的生產上。手機、PDA和高密度服務器組件都將因此受益。如果這種WSP技術允許1個封裝當中堆積256的模塊，那么三星公司不久前發布的最新NAND硬盤厚度將只有8個毫米。
然而3D封裝對芯片裝配來說，并非最好辦法。在相對慢的NAND模塊上，發熱量對3D封裝來說不是大問題，但是工作溫度更高的高速DRAM來說，近期不大可能采用三星公司的這種WSP或者其它3D封裝技術。
（第三媒體 2006－04－15）