Intel 965/975芯片組和AMD的AM2平臺的推出，預示著在內存方面的需求已經轉入了DDR2的陣營。諸多原因促成DDR2內存成為當今市場的主流， 但是其中一項重要因素還是DDR2內存本身具有的強大優勢。
實際上以DDR2的架構（內部使用四倍數據預取）能夠以較低的Cell（核心）頻率獲得較高的數據傳輸率，舉例來說，DDR2 800和DDR 400的Cell頻率是一樣的，因此DDR2的成本可以更低，DDR2的價格低于DDR也并不難理解。
2006年5月，宇瞻領先行業推出DDR2 800 Unbuffered內存，再一次走在了行業的最前端。據悉，宇瞻DDR2 800 Unbuffered內存特別針對Intel Broadwater965與975系列與AMD Socket AM2架構高階芯片組計算機平臺所設計，符合JEDEC標準規范，采用Samsung原廠先進90奈米制程顆粒，搭配六層電路板，頻寬每秒最高可達6.4GB，在雙信道的模式下每秒頻寬更可高達12.8GB。
宇瞻DDR2 800 Unbuffered 1GB內存
宇瞻DDR2 800 Unbuffered內存采用了三星K4T51083QC顆粒，FBGA封裝模式。SEC K4T51083QC為512兆位顆粒，使用32Mbit×4 I/Os×4 banks配置，它的最高傳輸速率可以達到800Mb/sec/pin (DDR2-800)。它具有DDR2所擁有的posted CAS和附加延時，寫延時=讀延時-1。而OCD阻抗校正和內建的終結電阻（ODT），所有的控制和地址輸入同步于一對差分時鐘信號。輸入鎖定差分時鐘的交差點（crosspoint），提供精確的時鐘信號。
三星K4T51083QC顆粒
宇瞻DDR2 800 Unbuffered內存制作工藝精湛，品質優良，在媒體評測中創造了DDR2 800內存有史以來最好的成績。本次測試是在Intel 975X+ICH7R平臺下，采用兩根宇瞻DDR2 800 Unbuffered 1GB內存組成雙通道模式。