IBM日前表示，目前正在加緊開發一個新項目，進行碳納米管集成電路的研究工作，該技術一但成功將有望在未來推進下一代芯片產品的處理速度。
據《自然科學》雜志報道，IBM目前已經建立了一個5階段的環型震蕩器，由12個場效應晶體管并排組成，剛好構成一個碳納米管，該成果可能會在美國當地時間周五（24日）公布。
IBM稱：“作為金屬氧化物類半導體架構的補充，該裝置的完成能夠很好的調整目前正在使用的個別p型以及n型場效應晶體管（FET）的門電路功函。”
該裝置將碳納米管和FET的優勢完全的融合在了一起，“單層碳納米管（SWCNT）已經表現出了很好的電氣性，例如在彈道輸運（Ballistic Transport）方面，在室溫下就表現了良好的優越性。”
IBM還表示：“場效應晶體管由許多個單獨的‘管’組成，在直流性能規范上表現了比目前高端極品硅更好的性能。更重要的是，下一步將會把集成電路裝配到SWCNT上以研究SWCNT在高頻交流電下的接受能力。”一旦測試結果非常的理想，相信將會再次帶動一次處理器方面的革命，在目前現有硅材料出現單處理器頻率瓶頸的情況下，換用新材料也許會重新打開一個局面。IBM到時候也將再次站在處理器市場的前沿。
（第三媒體 2006－03－25）