三星512MB DDR3 ECC UDIMM內存
在日前的臺北春季IDF上，三星公司展示了其DDR3內存產品實物，并預計Intel將在2007年下半年開始采用DDR3，2009年初有望取代DDR2。
據三星內存業務首席工程師Dong Yang Lee稱，三星已經準備好在今年下半年開始量產DDR3內存產品，初期頻率DDR3-800，隨后會升級至DDR3-1066/1333，最高DDR3-1666。
目前DDR2內存普遍采用90nm工藝生產，DDR3則將導入70nm工藝，因此生產成本和功耗均將有所降低。Dong Yang Lee表示，SO-DIMM規格1Gb DDR3-1066的功耗將是512Mb DDR2-800的66％，1Gb DDR3-1333為79％，而UDIMM規格分別為60％和71％。
技術規格上，DDR3主要是由DDR2改良而來，主要改進包括預取由4位增至8位、核心電壓由1.8V降至1.5V、配備全新溫度偵測功能、高速接口技術全面升級等等。
（第三媒體 2006－04－15）