近日奇夢達推出一款,183MHz雙數據速率同步移動RAM DDR366,該內存用60球FBGA封裝,存儲容量為512Mb, 工作電壓為1.8V,符合JEDEC DDR標準,滿足了具有多種應用的消費類手持終端不斷增長需求。
DDR366的數據傳輸速率為366Mb/s,比標準DDR266 DRAM快30%。在系統設計不改變的前提下,該性能記錄是采用常規BGA封裝方式實現的。 DDR366不但具備電池供電設備所需的超低功耗,而且采用了適用于板卡空限受限產品的極其緊湊的芯片級封裝。基于節電型溝道技術以及電源管理特性,如TCSR(溫度補償自刷新)、PASR(部分陣列自刷新)、OTCS(片上溫度傳感器)和DPD(深度省電)模式,DDR366實現了工作電流最小化,從而延長了電池工作時間。
DDR366規格的推出,肯定會對DDR266 DRAM造成沖擊,畢竟DDR366在性能上要高出不少。它將滿足具有多種應用的消費類手持終端。
(2006-11-20)