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通信設備: 晶體管運行速度英國新技術可高出一倍 |
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作者:第三媒體
來源:www.TheThirdMedia.com
日期:2006-08-20
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[摘要]
據國外8月19日報道,英國研究人員開發出一種新技術,可使雙極晶體管的運行速度提高一倍。英國南安普敦大學近日發布的消息說,該校研究人員應用硅雙極灌氟技術,使雙極晶體管的運行速度達到110吉赫茲,這一速度比現有紀錄高出一倍。 |
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[正文]
據國外8月19日報道,英國研究人員開發出一種新技術,可使雙極晶體管的運行速度提高一倍。英國南安普敦大學近日發布的消息說,該校研究人員應用硅雙極灌氟技術,使雙極晶體管的運行速度達到110吉赫茲,這一速度比現有紀錄高出一倍。據負責該項研究的彼得·阿什伯恩介紹,這種技術通過阻止晶體管底部的硼擴散,使晶體管底部寬度變窄,從而讓電子能以更快的速度穿越晶體管底部。
據悉,雙極晶體管是固體半導體器件,通常應用于移動電話和各種無線通信設備中。據研究人員稱,利用這一技術還可將晶體管底部的硼擴散再降低50%,他們正在就此進行研究。
(第三媒體 2006-08-19)
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