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聯電: 臺灣聯電(UMC)45nm工藝上取得重大突破 |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2006-11-22
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[摘要]
臺灣聯電(UMC)已經在45nm工藝進程之路上完成了關鍵的一步：生產出了一塊不到0.25平方微米的SRAM芯片。
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[正文]
臺灣聯電(UMC)已經在45nm工藝進程之路上完成了關鍵的一步：生產出了一塊不到0.25平方微米的SRAM芯片。
為了這塊小小的實驗性芯片，工程師們動用了各種最新工藝，比如沉浸平版印刷術、超淺結(USJ)、low-k電介質等，并改善了電子遷移問題。隨著技術的進步，工程師們面臨的難題也越來越多。
聯電計劃在明年投產45nm工藝產品。與65nm工藝相比，新工藝可以將六晶體管SRAM芯片的面積減小50％，性能則提升30％。
臺積電(TMSC)曾在今年夏天宣布，已經使用沉浸平版印刷術制造出45nm實驗性芯片，擁有10個金屬層，門長度僅有26nm，并使用了應變硅技術、三柵氧化層和第二代low-k電介質薄膜。與競爭對手類似，UMC也使用了193nm的沉浸平版印刷掃描儀，以改進晶圓蝕刻。
迄今為止，已經有多家半導體業巨頭披露了45nm工藝進程，如Intel、IBM、德州儀器、臺機電等，特許半導體、三星、英飛凌也正在與IBM展開合作，不過他們的工藝用途各有不同，沒有直接的可比性。 (2006-11-22)
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