2007 年 7 月6日 - 全球領先的電源管理半導體解決方案供應商安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出采用先進硅技術的 PNP 與 NPN 器件，豐富了其業界領先的低 Vce(sat) 雙極結晶體管 (BJT) 產品系列。這兩種新型晶體管與傳統的 BJT 或平面 MOSFET相比，不僅實現了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應用。
安森美半導體分立產品部副總裁兼總經理 Mamoon Rashid 指出：“安森美半導體提供目前市場上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領域的領先產品，為電源控制提供了非常經濟的解決方案。這種器件非常適用于移動電話和汽車等多種開關應用 (strategic switch)，為設計人員提供高性價比的解決方案，從而有助于他們推出領先的產品。”
安森美半導體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面貼裝器件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1 A時，該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差，因此能在突發浪涌情況下自我保護，避免受損。由于實現了出色的電氣性能及較低的溫度系數，因此這種器件可提高能效，在無需額外 ESD 保護電路就能實現更好的電池節能。相對于 MOSFET而言，這種器件比較適中的開關速度降低了噪聲諧波，因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應用。
安森美半導體的低 Vce(sat) BJT 系列產品采用多種業界領先的封裝，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價為0.14～0.27美元。
（新聞稿 2007－07－06）