專有的硅上GaN器件和功率器件技術預示著電源轉換新紀元的到來
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業知識方面的經驗，可使該技術平臺廣泛應用于AC-DC電源轉換器、DC - DC電源轉換器、電機驅動器、照明系統及高密度音頻和汽車系統領域。其系統解決方案產品組合和相關知識產權 (IP) 遠遠超越了其他的領先分立功率器件。
高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工藝完全符合IR公司倡導的低成本高效益的芯片制造要求，為客戶提供世界一流的、可商業化的GaN功率器件制造平臺。
IR總裁兼首席執行官Oleg Khaykin表示：“領先的GaN器件技術平臺和IP組合符合我們為客戶節約能源的核心使命，進一步提升了IR公司在功率半導體器件領域的領導地位，預示著電源轉換新紀元的到來。我們完全相信這種新器件技術平臺對電源轉換市場的潛在影響至少和30多年前IR推出的功率HEXFET®電源一樣大。”
幾個新GaN器件產品平臺的原型將在2008年11月11日至14日于慕尼黑舉辦的Electronica電子貿易展上向主要原始設備制造商展示。
Khaykin 還表示：“我們認為，GaN器件產品平臺最早將在那些充分利用功率密度以及電源轉換效率和成本的關鍵特性價值實現革命性轉換能力的市場領域和設備中得以應用。”
(新聞稿 2008－09－19)