安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術提升Ampt的直流優化器性能
2023年1月6日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，和世界頭號大型光伏（PV）太陽能和儲能系統直流優化器公司Ampt LLC宣布攜手合作，以滿足市場對直流組串優化器的高需求。Ampt在其直流組串優化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術之N溝道SiC MOSFET，用于關鍵的功率開關應用。
Ampt組串優化器用于大規模光伏電站，使成本更低、性能更高的太陽能和直流耦合儲能系統被共同部署在太陽能電站內。組串優化器以高的固定電壓輸送來自光伏陣列的電力，系統電壓范圍在600 VDC至1500VDC，降低了電站的整體電流要求和成本。Ampt優化器利用安森美最新的具有極低導通電阻和開關損耗的SiC MOSEFT技術，實現了儲能系統和太陽能電站更高的雙向充放電效率。
Ampt首席執行官Levent Gun說：“將安森美的EliteSiC技術納入我們的直流優化器，有助于大型光伏電站開發商提高項目的經濟效益。顯然，產品性能是我們的一個關鍵決策點，而安森美提供在設計階段的技術支持及持續供貨保證，支持Ampt的快速擴展，證明安森美是個強大的合作伙伴。”
EliteSiC器件的RDS(on)典型值為80 mΩ，柵極電荷(Qg)值為56 nC，Rg較低，為1.7Ohms。它能夠在175°C的結溫下工作，降低了應用中的熱管理要求，從而實現尺寸更小、成本更低的方案。
安森美執行副總裁兼電源方案部總經理Simon Keeton說：“我們的EliteSiC技術把高性能和高可靠性相結合，能夠實現高效、可靠的直流優化器，這也是Ampt這樣的行業領導者所期望的。我們期待持續合作開發新產品，推進可再生能源應用向前發展，打造一個可持續的生態系統。”
（新聞稿 2023-01-06）