三星公司在IDF(Intel開發論壇)上宣布,推出首款288M RDRAM,量產與出貨將安排在今年秋季。 三星官方表示,這種288M元晶可以單面、也可以雙面表貼,因此能用于生產288M、576M兩種RDRAM內存條;由此,單通道Rambus內存將能達到1G容量,雙通道則可以達到2G容量。(Jalor 8-24)
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