世界功率管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發布的IR2086S全橋總線轉換器集成電路，使直流總線轉換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉換器解決方案，在比四分之一磚轉換器還要小29%的電路板面積上，實現效率高達97%的336W功率。
全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉換器總線轉換器的固定48V及36V到60V輸入橋式電路拓撲、同步降壓非隔離式DC-DC電路拓撲、針對移動通信的18V到36V輸入正激及推挽式轉換器，以及調節式輸出隔離式DC-DC應用中的次級同步整流。
業界標準的300W四分之一磚設計往往包含多達10個MOSFET（4個初級和6個次級）、1個脈寬調制（PWM）集成電路及2個半橋驅動器集成電路。IR的新芯片組方案則只有6個MOSFET（4個初級和2個次級）及1個單獨的集成電路，節省功率半導體零件數達46%。
此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉換器DC-DC能有效節省多達29%的占板空間，更可提升工作效率1.5個百分點。
IRF6646 80V MOSFET的最大導通電阻為9.5mΩ ，較相同面積的同類器件改善了37%，成為業界之最，并可針對初級橋式電路拓撲進行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大導通電阻為1.8mΩ ，是特別為次級同步整流優化的。該器件可在相同面積下實現最低的導通電阻，超過同類器件22%。
這組MOSFET可與最新面世的IR2086S全橋直流總線轉換器集成電路和現有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET結合起來用作次級柵鉗位。
IR中國及香港銷售總監嚴國富指出，最新的IRF6646和IRF6635可實現更高的效率，工作時的外殼溫度比SO-8器件約低40°C 。器件溫度對整體即時故障率(FIT)及平均無故障工作時間(MTBF)都有直接的影響，因為溫度在有關計算中屬于首要參數。簡而言之，溫度每降低10°C ，故障率便可降低50%。
芯片組的基本規格如下：
產品編號 封裝 VDSS VGS=10V下最大RDS(on) 典型Qg 典型Qgd
IRF6646 DirectFET 中MN 80V 9.5mΩ 36nC 12nC
IRF6635 DirectFET中MX 30V 1.8mΩ 47nC 17nC
使用最新80V與30V DirectFET MOSFET，可得到IR myPOWER網上設計中心的支持。IR還提供以下應用資料，使用戶加深對DirectFET封裝技術的認識：
· AN-1035: DirectFET MOSFET板上安裝指南
· AN-1050: DirectFET MOSFET物料與實際應用
· AN-1059: DirectFET MOSFET熱注塑和特性
IR的專利DirectFET MOSFET封裝綜合了一系列最新設計的優點，這些優點在標準的塑料分立封裝中前所未有。其金屬罐結構可進行雙面冷卻，為驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器帶來雙倍的電流處理能力。此外，這些采用DirectFET封裝的器件符合RoHs標準，不含鉛或溴化物。
最新的80V IRF6646 及30V IRF6635 DirectFET MOSFET同步降壓芯片組現已供貨，以一萬片計算，IRF6646與IRF6635的單價分別為1.37 美元和1.50美元，價格可能會有變動。（新聞稿 博達公關提供 2005-06-16）