據有關消息報道，美國T-RAM公司宣布，他們已經和GLOBALFOUNDRIES公司（原AMD芯片制造業務）達成共同開發協議，將把T-RAM公司的Thyristor-RAM嵌入式存儲技術應用在GLOBALFOUNDRIES未來制程工藝當中。GLOBALFOUNDRIES表示，T-RAM技術將應用在該公司的32nm及22nm工藝中，有望在低功耗、高性能的前提下，在同一晶圓面積內容納更大容量的緩存。
目前還不清楚T-RAM技術是否會在GLOBALFOUNDRIES的32nm工藝制造中全面應用，還是會使用在某些產品上。至于該技術究竟會用于縮小芯片內緩存部分面積，還是為了嵌入更大容量的緩存也不得而知。當然，如果GLOBALFOUNDRIES找到除AMD外的其他代工客戶，其產品也有望應用T-RAM技術。Thyristor-RAM即可控硅RAM技術，在存儲密度和速度方面都有其獨到之處，尤其適合使用在處理器嵌入緩存上。T-RAM公司就是專為該技術的研發和授權而生。該技術既可用于體硅工藝，也可用于應變硅（SOI）工藝。而根據AMD之前的計劃，GLOBALFOUNDRIES將于今年底前啟動32nm體硅工藝制造，明年第一季度投產32nm SOI工藝。
（第三媒體 2009-05-20）