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[新聞圖片]IR公司: IR 30V DirectFET MOSFET系為降壓轉換器設計
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上一張 | [簡介] IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉向使用新器件。 IRF6721S、IRF6722S與IRF6722... |
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[新聞圖片]IR公司: IR 30V DirectFET MOSFET系為降壓轉換器設計 |
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