全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類器件相比擁有更低的通態電阻，可實現卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應用，如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外，該器件還有助于節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，它比現有解決方案使用更少的器件。”
此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現了改善的安全工作區（SOA）能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。
IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，并且在各自的PCB尺寸內提供業界最佳的通態電阻。
產品的基本規格：
|
器件編號 |
典型RDS(on) @10V (mΩs) |
典型RDS(on) @4.5V (mΩs) |
VGS (V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
封裝面積(mm x mm) |
典型RDS(on)
@10V x 面積
(mΩ x mm2) |
|
IRF6718 |
0.5 |
1.0 |
+/-20 |
61 |
7 x 9.1 |
31.9 |
|
IRF6717 |
0.95 |
1.6 |
+/-20 |
38 |
4.9 x 6.3 |
29.3 |
|
IRF6713 |
2.2 |
3.5 |
+/-20 |
22 |
3.8 x 4.8 |
40.1 |
IR已開始接受量產訂單。
(新聞稿 2009-08-10)