全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列獲得工業認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
![IR半導體: 超低柵極電荷 IR推出工業認證30V MOSFET](http://big5.thethirdmedia.com/g2b.aspx/www.thethirdmedia.com/null.gif)
這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術,并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外,新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“新器件能夠提供最佳性價比。此外,通過提供四個等級的RDS(on) 及將Qg保持在30V的水平,新器件可讓設計工程師靈活地選擇最適合的器件,來配合其設計的規范和要求。”
新款MOSFET擁有充分表征的崩潰電壓和電流。隨著IR對這些基準MOSFET的持續開發,它們將可以作為現有30V TO-220器件的直接替代品或升級品。
新器件獲得了工業級及一級潮濕敏感度 (MSL1) 認證。這些30V MOSFET采用TO-220封裝,皆為無鉛設計,并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 指令。
產品的基本規格:
器件編號 |
封裝 |
|
RDS(on) |
ID @ TC |
典型Qg
(nC) |
典型Qgd
(nC) |
VBRDSS
(V) |
@ 4.5V
(mOhms) |
@ 10V
(mOhms) |
25°C
(A) |
100°C
(A) |
IRLB8721PbF |
TO-220AB |
30 |
4.5 |
8.7 |
62 |
44 |
7.6 |
3.4 |
IRLB8743PbF |
TO-220AB |
30 |
4.2 |
3.2 |
150 |
110 |
36 |
13 |
IRLB8748PbF |
TO-220AB |
30 |
6.8 |
4.8 |
92 |
65 |
15 |
5.9 |
IRLB3813PbF |
TO-220AB |
30 |
2.6 |
1.95 |
260 |
190 |
57 |
19 |
現在這些器件已向市場供應。欲了解更多數據,請訪問IR網站。
(新聞稿 2009-08-26)