 |
|||
|
[新聞圖片]三星閃存: 三星電子量產51nm工藝的16Gbit NAND閃存
|
上一張 | [簡介] 據消息報導，韓國三星電子已經開始量產采用51nm工藝的16Gbit NAND閃存。該公司此前已從2007年3月開始量產采用51nm工藝的8Gbit NAND閃存。 據悉，51nm產品以4KB為基本單位進行數據處理，與60nm產品相比，可將讀取/寫入速度提高至約2倍左右，彌補了原有MLC NAND閃存難以實現的... |
下一張 | |
|
| |||||
|
|||||
[新聞圖片]三星閃存: 三星電子量產51nm工藝的16Gbit NAND閃存 |
|||||
|
|||||