據2月4日國外消息報道，三星公司為擴大在內存芯片市場上的領先優勢，計劃在今年開始生產40納米技術DRAM內存芯片。40納米為400億分之一米，采用這種技術生產的芯片可集成更多功能、提高容量和性能，同時還可降低單位成本。
據悉，DRAM芯片的生產商正在面臨供應過剩、價格下跌和消費者需求疲軟等困難。據調查公司iSuppli預計，今年這些公司的投資將下降63%以上。三星在周三發表聲明稱，已經開發出芯片行業中首個40納米級DDR2 DRAM芯片和模塊，今年將開始采用40納米技術大量生產2Gb DDR3芯片，并從2010年起將這種新技術應用到廉價的DDR 2芯片中。不過分析師認為，新技術不會立即給三星帶來好處。大宇證券的分析師詹姆士·宋（James Song）表示，40納米技術不大可能在三星今年的產品中占據重要地位，真正的量產要到2010年，因為經濟危機依然對高性能芯片的需求有影響。
據三星表示，當40納米技術應用到2Gb DDR3芯片中時，生產力將比當前使用的50納米技術提高60%左右。在這方面，三星的競爭對手可能趕不上，因為技術前進需要大量的投入并要解決更大的技術難題。三星的競爭對手當前都在使用50納米甚至60納米技術。去年10月日本的Elpida公司表示，可能會凍結量產50納米芯片的計劃。
（第三媒體 2009-02-05）