海力士內存
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[新聞圖片]海力士內存: 基于54nm工藝 二代1Gb DDR3內存芯片投產
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      據有關消息報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產。根據海力士的介紹，數據中心、服務器、超級計算機或其它對電池續航要求較高的移動產品都可采用這種低功耗芯片。    1Gb DDR... 		下一張 海力士內存 下一張