據有關消息報道，三星電子宣布推出兩款針對移動設備的大容量存儲方案，包括一款容量高達64GB的moviNAND閃存芯片以及一款32GB的MicroSD存儲卡，均使用了“30nm級”閃存，但并未透露具體是34nm還是其他3x nm工藝。
三星表示，其業界容量最大的64GB moviNAND閃存顆粒厚度僅為1.4mm，但其內部實際上是由17層厚度僅為30微米的芯片堆疊封裝而成，包括16層“30nm級”32Gb MLC NAND閃存顆粒以及一層專用控制器。該顆粒采用了三星專利的moviNAND嵌入式閃存技術，可提供64GB、32GB、16GB、8GB和4GB容量。
（第三媒體 2010-01-15）