日前，三星發布了一款節能型單條32GB DDR3服務器內存，采用3D TSV(直通硅晶穿孔)封裝技術，功耗達到了企業服務器用內存產品中最低級別，目前三星旗下采用該技術的內存產品已進入試產階段。
據介紹，TSV封裝技術使芯片多層堆疊，封裝密度得到了提高，內部連接路徑更短，使得芯片間的傳輸速度更快、噪聲小、效能更佳，相當于單層封裝技術的產品，據稱采用該技術的內存模組功耗比其普通30nm級別工藝的LRDIMM產品平均低約30%。
這款節能型單條32GB DDR3服務器內存采用30nm級別工藝DRAM顆粒，默認運行頻率DDR3-1333MHz，功率僅4.5W。
（第三媒體 2011－08－17）