三星內存
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[新聞圖片]三星內存: 三星電子首家成功試產,16GB DDR4內存模組
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      據介紹，三星16GB DDR4內存為30nm工藝制程，單條8GB/16GB容量樣品已在6月試產，相比DDR3產品，DDR4內存優勢非常明顯，工作電壓降至1.2V，帶寬最多達3200Mbit/s，是目前常見DDR3-1600的兩倍，整體功耗最多可減小約40%。    (第三媒體 2012－07－04)... 		下一張 三星內存 下一張