早在2010年12月份三星曾展示過業界首個30nm工藝2GB DDR4內存,日前,據最新消息報道:三星電子已成功試產16GB DDR4內存模組,并拿出了面向企業級服務器市場的RDIMM形式產品,這也使三星成為業內首個推出單條16GB DDR4內存的廠商,預計明年大規模量產零售上市。
據介紹,三星16GB DDR4內存為30nm工藝制程,單條8GB/16GB容量樣品已在6月試產,相比DDR3產品,DDR4內存優勢非常明顯,工作電壓降至1.2V,帶寬最多達3200Mbit/s,是目前常見DDR3-1600的兩倍,整體功耗最多可減小約40%。
(第三媒體 2012-07-04)