據報道:三星宣布開始量產業內最先進8Gb(1GB) DDR4內存顆粒,以及32GB DDR4內存條,面向企業服務器。
據介紹,三星新顆粒與內存均采用最新20n工藝,頻率為2400MHz,相比DDR3-1866性能可提升約29%,電壓標準1.2V。據稱,借助3D TSV硅穿孔技術,新顆粒可制造單條128GB超大容量內存條。
(第三媒體 2014-10-23)
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