內存市場上DDRII規格取代DDR規格的呼聲一直就沒有停止過，但是從過去的產品性能和市場份額上，DDR內存確實還有存在的實力和必要。直到DDRII 800內存的發布，DDRII內存終于以比DDR內存更先進的制作工藝、更低的功耗、更高的起始頻率、更大的容量獲得了壓倒性的勝利。
自去年年底就有個別高端廠家的DDRII800內存先后問世，但是由于缺少整個硬件系統的支持，從市場的反應來看還是象征意義大于現實意義。隨著Intel 925XE與Intel 955XE高速芯片組的普及，國內內存技術領導廠商富豪科技公司在領先的研發制造技術基礎上，通過不斷的探索和追求，全力推出DDRII 800新品內存。
采用國際規范設計內存模組的富豪DDRII 800，512M內存在6層PCB板基礎上采用單面布局設計，正面有8顆頂級的DDRII顆粒，FBGA封裝。顆粒之間的間隙較大，有利于內存運行的穩定和散熱。保存著運行速度、時序信息的SPD芯片位于模組PCB正面中央位置。該款內存采用1.8V工作電壓，標準240針。因工作電壓的改進，形成了低能耗的特點，工作穩定，性能出色，具有較高超頻性能。