具體到Kemet和POSCAP這兩種鉭聚合物電容之間，彼此又有一些顯而易見的差別。主要體現在漏電流量、ESR值和壽命上。一、漏電流量；Kemet T491鉭聚合物電容為9.4UA，三洋POSCAP鉭聚合物電容為10.UA（漏電流量越小越好）；二；ESR值，Kemet鉭聚合物電容ESR值最低可達3mΩ，三洋POSCAP鉭聚合物電容為5mΩ；三、壽命，Kemet T491鉭聚合物電容設計壽命為150萬小時，三洋POSCAP鉭聚合物電容為20萬小時。綜上所述，三洋POSCAP(Hi-C)雖然電氣性能不如KEMET的出色，但容量較大、成本低、可以使用多顆，也算是攤低了顯卡的成本。合理的用料和定價，是對市場必要的妥協。
背面有12個三洋POSCAP（Hi-C)鉭聚合物電容
6相供電 迄今為止GTX560TI最高規格
通常情況下公版GTX560 Ti使用3+1相供電，而昂達GTX560神戈核心部分采用加強型4相供電設計，PWM控制芯片為Richtek的RT8841，同置驅動IC。每相配有兩個全封閉電感和兩上兩下4個Mosfet，最高900KHz開關頻率，每相可以穩定提供45A電流供應。總共4相供電，最高提供180電流，并能保持89.34%以上的電源轉換效率，足以滿足顯卡大幅超頻使用。而傳統的模擬供電方案開關頻率僅僅為300K Hz附近，每相僅僅穩定提供30A電流，速度、精度和集成度都有所差距。不僅如此，雙電感并聯還有助于增加單相可提供電流，這樣整卡的輸出電流就會增加，以承受GPU超頻后所需要的額外電流。
供電主控芯片RT8841性能
在顯存供電部分，昂達GTX560神戈采用2相供電，每相配有一上一下2個Mosfet。顯存供電部分位于PCB頂部，2相供電設計，每相1個電感，一上一下共2個Mosfet，PWM控制芯片為NEXSEM的NX2423。
GTX560Ti神戈待機紋波電路圖
上圖是核心供電的紋波圖，在待機狀態下，昂達GTX560神戈的核心紋波僅有9.2mv，而公版在783/3800MHz頻率下，核心紋波則接近20mv，相當于前者的2倍。紋波電壓越低，核心獲得的電流就越純凈，供電的改進和提升確實提升了顯卡的穩定，也為高頻乃至超頻操作提供了更好的基礎。
除此之外，供電相數較多的優勢還體現在功耗上。測試數據顯示：雖然待機情況下，由于設定頻率較高，GTX560神戈比公版顯卡高3～4W，但在滿載功耗上6相供電的優勢就顯現出來了，該顯卡在公版頻率下負載比普通GTX560 1GB低19-24W，下圖Furmark平均溫度66度的成績，充分體現了其做工的優越性。
如果說全鉭聚合物電容、貼片式設計、6相供電，玩家已經在昂達神戈系列高端顯卡上“司空見慣”。那么，昂達GTX560Ti 神戈所使用的六熱管、可搭載4風扇、足以與U120E、IF14等媲美的散熱器效能究竟如何，以及它對于顯卡散熱器的整體發展究竟有何意義。筆者將在隨后的文章中為大家進行介紹，敬請期待。
（新聞稿 2011-03-16）
