![Intel芯片: 英特爾造出首款45納米芯片!明年量產](http://big5.thethirdmedia.com/g2b.aspx/www.thethirdmedia.com/null.gif)
據悉,日前Intel公司宣布制造出了首款采用45納米生產工藝的芯片。最新的45納米生產工藝芯片與65納米工藝相比,45納米技術在晶體管密度上提高了兩倍,達到10億個,開關速度提高了20%,而功耗卻降低三成。Intel的45納米工藝被命名為P1266,集成了銅互連(copper interconnects)、低K介電系數、應變硅(strained silicon)和技術特性。該公司計劃采用193納米“干式(dry)”光刻掃描器——而非沉浸式(immersion)工具,來制造45納米器件,這也超出了此前一些分析人士進行的預料。
Intel還表示采用45納米工藝,已制造出153Mbit SRAM原型。該原型器件包含幾個元件,其中包括SRAM陣列、PROM陣列、鎖相環(PLL)、I/O、寄存器和分立測試結構。Intel此項聲明顯示其45納米工藝已經上路,預計將于2007年下半年實現量產。
據Intel工程師Mark Bohr稱,這些晶體管只有45納米見方,比紅血球還要小1,000倍左右。“采用45納米生產工藝后,我們可以在單位面積上放置兩倍數量的晶體管,并降低能耗。毫無疑問,這項技術將大幅度提升未來產品和平臺的性能。”
(第三媒體 2006-02-06)