以下是飛利浦和IMEC在IEDM上發表的全部論文：
基線CMOS相關論文
· 采用0.75NA 193納米光刻構建包含高三閘極器件的0.314µm2 6T-SRAM 單元，用于45納米 節點應用
· 75納米閘極長度不包含電容器的DRAM 單元，以及用于高密度嵌入式存儲器的16納米完全絕緣硅器件
· 通過摻雜掃描調節工作函數及用于小于45納米節點的CMOS的相關效應鎳完全硅化閘極
· 45 納米物理閘極長度器件上的SPER 和 FUSI閘極產生的用于PMOS晶體管的非擴散接面和超暈輪效應
· 超薄閘極氧化層PMOSFET中的NBTI 的“On-the-fly”功能
· PRETCH：片上實現高K/金屬閘極和多重氧化的新方法
· 用于65納米技術節點的可延展工業300納米BEOL 集成演示
· 在多孔低K互聯中集成ALD TaN Barriers，用于45納米節點及更小節點的；緩解電子散射效應的解決方案
· 用于一般和低功率應用的常規 45納米CMOS 節點低成本平臺
· SON (Silicon-On-Nothing) 技術 CMOS平臺：高性能器件和 SRAM 單元
· 用于新型CMOS 器件架構的新的基于動態單元的性能指標
· 用于65納米CMOS 高性能低功耗平臺的閘極棧優化
· 包含薄型SiON 驅動 1150µA/µm 和10nA/µm開路的45納米金屬閘極nMOSFET
· 前置放大超淺型接面中的電子鈍化/惰性化和硼擴散：間歇傳輸和F Co-Implant 控制
注：以上論文涉及到的研究，部分投資來自于歐盟的IST NANOCMOS項目（歐盟優先開展的信息社會技術領域的綜合項目），部分來自MEDEA+架構。
射頻相關論文
· 金屬發射器SiGe:C HBTs
· 用于減少硅基片損耗的新型低成本熱穩定過程： 實現大量硅技術的頻率極限方法
· 支線不均勻MOS 器件的電容建模
關于比利時微電子研究中心（IMEC）
IMEC是世界領先的納米電子和納米技術獨立研究中心。其研究著重于下一代芯片和系統，以及實現智能環境感知技術。 IMEC的研究填補了高校的基礎研究和業界技術開發中的空白。其研究獨樹一幟地平衡了工藝及系統專長、知識產權組合、先進的基礎架構極其強大全球公司、高校和研究機構網絡，把IMEC打造成為未來系統技術開發和改近的主要合作伙伴 。
IMEC 總部設在比利時魯汶，在美國、中國和日本設有代表處。IMEC擁有1300多名員工，包括380多名業內人士和客座研究員。2003年，IMEC的收入達到1.45億歐元。
關于皇家飛利浦電子公司
皇家飛利浦電子公司是歐洲最大，全球名列前茅的電子公司之一，2003年營業額達290億歐元，主要活躍于醫療保健、生活風尚及先進科技三大領域。在醫療診斷影像及病患生理監視系統、彩色電視、照明、電動剃須刀及硅芯片系統解決方案上居世界領導地位。（新聞稿 博達提供 2004-12-14）