 |
|||
|
[新聞圖片]東芝NAND閃存: 東芝NAND采用52nm 翻倍讀取速度12MB/s
|
上一張 | [簡介] 據悉，近日東芝稱，它將于明年在NAND閃存芯片上采用52nm技術，將閃存芯片的讀取速度從現在的6MB/s，大幅提升一倍，達到12MB/s。而目前，東芝的絕大多數閃存芯片產品，都是采用90nm生產工藝，而首批52nm芯片的存儲容量將會達到2GB。TOSHIBA的NAND型FLASH閃存芯片，型號TC58512FT ... |
下一張 | |
|
| |||||
|
|||||
[新聞圖片]東芝NAND閃存: 東芝NAND采用52nm 翻倍讀取速度12MB/s |
|||||
|
|||||