Samsung 90nm 1GB DDR2
據悉，全球DRAM廠原本以為經過0.13～0.14微米制程轉進至0.11微米制程時的教訓之后，90nm制程轉進之路將會順利不少，然而事與愿違，至今除三星電子90nm制程產出比重得以順利突破50％之外，其它DRAM廠仍陷在8～25％比重區間，似乎又陷入了當時轉進0.11微米制程時無法拉升良率的困境。
對于三星來說，它相當早便已進入90nm制程研發，由于前后花了將近1年時間在90nm制程發展上，因而得以順利大量投產，然但是，截至目前三星90nm制程比重仍僅達總產出約50％，仍比預期少了許多。而海力士雖然日前宣稱，90nm制程已占其總產出達50％，但根據其實際產出狀況來看，事實上海力士總產能中僅有25％系采用90nm制程，遠低于海力士自己所宣稱的50％比重。海力士由于受限于資金問題，僅能采用248微米步進機進行90nm制程生產。臺DRAM廠方面，南亞科發表示，就目前投產90nm制程的進度來看，最快到2006年中左右，華亞科便會將所有生產標準型DRAM產能轉進至90nm制程。但分析機構對此持保留態度，并預估到2006年中華亞科實際采用90nm制程比重最多僅有50％、甚至會更低。茂德發言人曾邦助則表示，由于海力士擁有優異技術，加上茂德本身已有12寸廠經驗，因此，茂德90nm制程量產進度大約已達到8,500片；而業界估計90nm制程約占茂德總產出比重8％。力晶方面，由于甫自爾必達技轉90nm制程，因此，仍僅限于小量試產階段，業界估計90nm制程占力晶總產能比重應相對較小。值得注意的是，力晶技術母廠爾必達日前對外宣稱，90nm制程占其日本12寸廠產能約50％，但分析機構及法人卻認為，實際比重應沒有那么大，預期應僅有15％系采用90nm制程投產。
全球DRAM廠產能簡況 單位：百萬顆
目前，多數DRAM廠認為，由于在先進制程轉換上，已交了可觀的學費，當初將制程技術轉進至0.11微米制程時，花費了相當多的時間和精力，對于多數DRAM廠來說，直到近2～3個月0.11微米制程，才正式取代了先前0.13～0.14微米制程，成為了主流制程技術。因此，對于下一階段由0.10～0.11微米制程轉進至85～90nm制程，多抱有較為樂觀的態度。但是，就集邦科技和法人機構近期所調查的全球DRAM廠轉進90nm制程的實際進度來看，還是面臨了較大的障礙，并不像業者所預期的那樣順利。目前，就連溝槽式技術鼻祖英飛凌旗下所采用90nm制程的產出比重，仍然僅占其總產能的20％左右，這對于其子公司華亞科技未來在采用90nm制程量產上，已經造成了不小的影響。因而，不少業內人士也認為，對于采用90nm溝槽式制程技術的DRAM廠來說，進入障礙確實較堆疊式還會高出許多。
（第三媒體 2005－12－14）