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DRAM內存: 預期落空!全球DRAM 90nm制程現障礙(圖)
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[新聞圖片]DRAM內存: 預期落空!全球DRAM 90nm制程現障礙(圖)
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[簡介]
目前,多數DRAM廠認為,由于在先進制程轉換上,已交了可觀的學費,當初將制程技術轉進至0.11微米制程時,花費了相當多的時間和精力,對于多數DRAM廠來說,直到近2~3個月0.11微米制程,才正式取代了先前0.13~0.14微米制程,成為了主流制程技術。因此,對于下一階段由0.10~0.11微米制程轉進至85~90nm制程,多抱...
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